国产芯片领域中，存储芯片的表现和追赶速度是最快的领域。此前有消息称国产存储芯片大厂已经完成了192层的3D NAND闪存样品的自主研发，并在今年年底前会实现量产交付。

而目前有消息称，长江存储计划跳过192层，直接切入232层闪存生产。

这意味着，如果长江存储实现量产232层闪存芯片，我国在存储芯片领域的技术将达到国际先进水平。

而目前三星和SK海力士明年初会量产超200层闪存，长江存储越过192层，直接生产232层，将到达一线水平。